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導電膜蝕刻劑及蝕刻方法

導電膜蝕刻劑及蝕刻方法

本發明涉及一種導電膜蝕刻劑,用於製造電子產品的電極圖形,特 別適用於製作弱光型非晶矽電池的透明電極的電極圖形。

本發明還涉及刻蝕劑的蝕刻方法。

導電膜是由SnIno2製作的導電材料,濺射在玻璃板成膜,過去製作 弱光型非晶矽電池的電極圖形是用耐酸油墨,通過絲網印刷覆蓋在導 電膜上,未覆蓋的部分用鹽酸溶解,覆蓋部分保留下來即為電極圖形, 其缺點是製作的電極圖形線條不清晰,夕卜觀不整潔,電極導電膜易汙染, 成本高。

本發明的目的正是為了克服上述已有技術的缺點與不足,而提供 一種通過化學反應采用印刷的方法的一種導電膜蝕刻劑,從而可得到 優良的電極圖形,提高產品質量。

本發明的另一目的是提供刻蝕劑的蝕刻方法。

本發明的技術是利用導電膜的S n I no 2可與鹽酸迅速反應的原理而 研製的蝕刻劑。其化學反應為In + Heh—Uel3> Sn+4+el_—SneU再 加入一些輔助材料製成塗料式的蝕刻劑。

本發明目的是通過下列技術方案實現的:

導電膜蝕刻劑,其特征在於它是由下述重量配比的原料製成的塗 料:

鹽酸份

增稠劑0. 2-50份

增塑劑M2份

消泡劑】-4份

水80-9G份。

增稠劑是甲基纖維素、羥丙基纖維素、羥甲基纖維素、黃原膠、 澱粉其中任意一種。

增塑劑是鄰苯二甲酸二甲醅、癸二酸二丁酯、乙二酸二辛酯、磷 酸三甲酚酯其中的任意一種。

消泡劑是十四醇、乙二醇壬醚、BH^NgPco. 6fl(IB、磷酸三丁酯 其中任意一種。

 

本發明的蝕刻劑的刻蝕方法為:將蝕刻劑用屏蔽網製成圖形用絲 印的方法印在導電膜上,放入空氣中自然反應,時間為2小時,或放入烘 箱內烘烤,其溫度為6(TC±2,時間3-5分鍾即可蝕刻導電膜,然後在清 水中衝洗或浸泡4小時,即刻蝕成透明的電極圖形。

由於采取上述技術方案,使本發明技術與已有技術相比具有如下 優點及效果:

本發明的蝕刻劑具有溶解速度快、蝕刻線條清晰,外觀整潔, 一致性好,不損傷導電膜,不汙染導電膜表麵,從而可提高電子產品的 質量和性能;

蝕劑劑組方筒單,配方合理科學,產品成本低,氣味小,汙

染小;

^ c)蝕刻方法筒單,省工省力,適用範圍廣。

1 1 實施例1 :

取鹽酸2()g,甲基纖維素0. 2g,鄰苯二甲酸二甲酯1仏十四醇化水 8 0 g,將上述原料依次加入容器內經攬拌製成本發明的蝕刻劑。

實施例2 :

取鹽酸25 g,羥丙基纖維素0. U,癸二酸二丁酯I0g,乙二醇壬醚化 水2 5 g,將上述原料依次加入容器內經攪拌製成本發明的蝕刻劑。

實施例3 :

取鹽酸30g,羥甲基纖維素丨.〇g,乙二酸二辛酯m,Bm 3g,水90g, 將上述原料依次加入容器內經攪拌製成本發明的蝕刻劑。

實施例4 :

〇 取鹽酸22g,黃原膠2Gg,磷酸三甲酚醅I0g, NoPco. 6 0 0 B 4, 5g,水

8 8 g,將上述原料依次加入容器內經攬拌製成本發明的蝕刻劑。

實施例5 :

取鹽酸2Kg,澱粉50g,磷酸三甲酚醅8g,磷酸三丁酯3. 水 將上述原料依次加入容器內經攬拌製成本發明的蝕刻劑。

用實施例1蝕刻劑對4個單元電池組成的外聯弱光型非晶矽光電 池的透明電極圖形時,把屏蔽網作成外聯形狀,通過絲印方法,把它 印在沉積有導電膜的玻璃上,在塗有蝕刻劑的部分即被溶解,未溶解 部分即保留下來,成為電極圖形。

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